如图,金属杆ab的质量为m、通过的电流为I,处在磁感应强度为B的匀强磁场中,平行导轨间的距离为L,结果ab静止且紧压于水平导轨上.若磁场方向与导轨平面成θ角,金属杆ab与水平导轨间的摩擦系数为,则以下说法正确的是
A.金属杆ab 所受的安培力大小为BILsinθ |
B.金属杆ab 所受的安培力大小为BIL |
C.金属杆ab所受的摩擦力大小为BILsinθ |
D.金属杆ab所受的摩擦力大小为 |
相关知识点
如图,金属杆ab的质量为m、通过的电流为I,处在磁感应强度为B的匀强磁场中,平行导轨间的距离为L,结果ab静止且紧压于水平导轨上.若磁场方向与导轨平面成θ角,金属杆ab与水平导轨间的摩擦系数为,则以下说法正确的是
A.金属杆ab 所受的安培力大小为BILsinθ |
B.金属杆ab 所受的安培力大小为BIL |
C.金属杆ab所受的摩擦力大小为BILsinθ |
D.金属杆ab所受的摩擦力大小为 |
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