（1）图甲为一游标卡尺的结构示意图，当测量一钢笔帽的内径时，应该用游标卡尺的(填"$A$""$B$"或"$C$")进行测量；示数如图乙所示，该钢笔帽的内径为mm。

（2）霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图丙所示，在一矩形半导体薄片的$P$、$Q$间通入电流$I$，同时外加与薄片垂直的磁场$B$，在$M$、$N$间出现电压$U_H$，这个现象称为霍尔效应，$U_H$称为霍尔电压，且满足$U_H=K\frac{IB}{d}$，式中$d$为薄片的厚度，$k$为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。

①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图丙所示，该同学用电压表测量$U_H$时，应将电压表的"+"接线柱与（填"$M$"或"$N$"）端通过导线相连。
②已知薄片厚度$d$=0.40mm，该同学保持磁感应强度$B$=0.10T不变，改变电流$I$的大小，测量相应的$U_H$值，记录数据如下表所示。
 
根据表中数据在给定区域内（见答题卡）画出$U_H-I$图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为$\times {10}^{-3}V·m·A^{-1}·T^{-1}$（保留2位有效数字）。
③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图丁所示的测量电路，$S_1$、$S_2$均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）。为使电流从$Q$端流入，$P$端流出，应将$S_1$掷向（填"$a$"或"$b$"），$S_2$掷向（填"$c$"或"$d$"）。

为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件和(填器件代号)之间。