高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为:
①SiO2+2C Si+2CO↑②Si+3HCl HSiCl3+H2③HSiCl3+H2 Si+3X
反应①制得粗硅,通过反应②③进一步得到高纯硅;三氯硅烷(HSiCl3)的沸点是 31.8℃.下列有关说法不正确的是( )
A.反应③中X 的化学式为 HCl
B.三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成
C.三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为 1:3
D.反应②③实现了硅元素的富集,将粗硅转化为高纯硅
高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为:
①SiO2+2C Si+2CO↑②Si+3HCl HSiCl3+H2③HSiCl3+H2 Si+3X
反应①制得粗硅,通过反应②③进一步得到高纯硅;三氯硅烷(HSiCl3)的沸点是 31.8℃.下列有关说法不正确的是( )
A.反应③中X 的化学式为 HCl
B.三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成
C.三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为 1:3
D.反应②③实现了硅元素的富集,将粗硅转化为高纯硅
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