高中化学金刚石、二氧化硅等原子晶体的结构与性质的关系简答题

下图是部分短周期元素原子（用字母表示）最外层电子数与原子序数的关系。请回答下列问题：

（1）Y在元素周期表中位于第____周期、第    族；P的基态原子核外电子排布式为________。
（2）Y、P、R第一电离能大小的顺序为     （用化学符号表示，下同），X、R、W的气态氢化物水溶液酸性大小顺序为        。
（3）X、Z的单质按物质的量比1：2反应生成的化合物中化学键类型有                  ；计算2mol该化合物与标准状况下33. 6LCO₂和l0mol水蒸气混合物充分反应后转移电子的物质的量是     。
（4）Q单质与Z的最高价氧化物对应水化物的浓溶液反应，化学方程式为          。
（5）已知：反应I CaSO₄( s)＋CO(g)CaO(s)＋SO₂(g)＋CO₂(g)    △H＝＋218.4kJ/mol
反应Ⅱ CaSO₄(s)＋4CO(g)CaS(s)＋4CO₂(g)    △H＝-175.6kJ/mol
假设某温度下，反应I的速率(v1)大于反应II的速率(v2)，则下列反应过程能量变化示意图正确的是  

短周期主族元素A、B、C、D、E在元素周期表中的位置如下图所示，其中A为地壳中含量最高的金属元素。

请用化学用语回答下列问题：
（1）D元素在周期表中的位置：
（2）A、D 、E元素简单离子半径由大到小的顺序为____＞_____ ＞_____ (填微粒符号 )
（3）F与D同主族且相邻，其气态氢化物稳定性的大小     ＞      （填微粒符号）
（4）用高能射线照射含有10电子的D元素氢化物分子时，一个分子能释放一个电子，同时产生一种具有较高氧化性的阳离子，试写出该阳离子的电子式             ，该阳离子中存在的化学键有                   。
（5）C元素的简单氢化物与E元素的最高价氧化物的水化物反应，生成化合物K，则K的水溶液显____性（填“酸性”、“碱性”或“中性”），用离子方程式表示其原因      ．
（6）化合物AC导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。其中制备AC的一种方法为：用A元素的氧化物、焦炭和C的单质在1600 ~ 1750℃生成AC，每生成1 mol AC，消耗18 g碳，吸收b kJ的热量。（热量数据为25℃、101．3 kPa条件下）写出该反应的热化学方程式                        。
（7）在Fe和Cu的混合物中加入一定量C的最高价氧化物的水化物稀溶液，充分反应后，剩余金属m₁ g；再向其中加入稀硫酸，充分反应后，金属剩余 m₂ g 。下列说法正确的是          。
a．加入稀硫酸前和加入稀硫酸后的溶液中肯定都有Cu²⁺
b．加入稀硫酸前和加入稀硫酸后的溶液中肯定都有Fe²⁺
c．m₁一定大于m₂
d．剩余固体m₁ g 中一定有单质铜，剩余固体m₂ g 中一定没有单质铜

元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：
（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是               。
a．原子序数和离子半径均减小             
b．金属性减弱，非金属性增强
c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强 
d．单质的熔点降低
（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为       ，氧化性最弱的简单阳离子是   。
（3）已知：

化合物	MgO	Al2O3	MgCl2	AlCl3
类型	离子化合物	离子化合物	离子化合物	共价化合物
熔点/℃	2800	2050	714	191

工业制镁时，电解MgCl₂而不电解MgO的原因是                           ；制铝时，电解Al₂O₃而不电解AlCl₃的原因是                                                 。
（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl₄的电子式：      ；在上述由SiCl₄制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：                                 。
（5）P₂O₅是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P₂O₅干燥的是          。
a．NH₃          b．HI           c．SO₂          d．CO₂
（6）KClO₃可用于实验室制O₂，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：             。